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本发明公开涉及具有增强的铜对铜接合的三维（3D）集成电路及其形成方法。至少在第一器件晶片的Cu表面上形成至少一个金属粘附层。具有另一Cu表面的第二器件晶片被放置在第一器件晶片的Cu表面顶上且在至少一个金属粘附层上面。第一器件晶片和第二器件晶...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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