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一种NMOS形成方法及CMOS形成方法，其中NMOS形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有栅介质层和栅多晶硅层；所述半导体衬底表面、栅介质层和栅多晶硅层的两侧形成有侧墙；在半导体衬底表面形成金属层，所述金属层覆盖侧墙、栅...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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