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一种鳍式晶体管的鳍部的形成方法,包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底表面形成具有开口的硬掩膜层;以所述硬掩膜层为掩膜,刻蚀第一深度的所述半导体衬底,在所述半导体衬底形成沟槽;沿平行半导体衬底表面方向刻蚀部分宽度的所述硬掩膜层;在所述沟槽内...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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一种鳍式晶体管的鳍部的形成方法,包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底表面形成具有开口的硬掩膜层;以所述硬掩膜层为掩膜,刻蚀第一深度的所述半导体衬底,在所述半导体衬底形成沟槽;沿平行半导体衬底表面方向刻蚀部分宽度的所述硬掩膜层;在所述沟槽内...