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本发明公开了一种用于形成半导体器件金属图形的剥离工艺方法，用可显影材料代替传统的两层光刻胶剥离工艺中的底层光刻胶，即在要制作金属图形的基片上先旋涂一层可显影材料，烘烤后再旋涂一层光刻胶，经一次带掩模版的曝光后，上层光刻胶的曝光区域和下层可显...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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