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本发明涉及半导体材料及器件领域，特别是涉及一种基于硅衬底的异质结纳米侧向外延制备宽带隙半导体氮化镓外延的方法，以解决现有技术中硅衬底上氮化镓外延位错密度高的问题。其主要步骤包括制备成通孔纳米级掩模通过覆盖材料转移到生长二氧化硅的衬底上，进一...
该专利属于况维维;唐治;陈中;李涛所有，仅供学习研究参考，未经过况维维;唐治;陈中;李涛授权不得商用。

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