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本发明涉及一种半绝缘碳化硅衬底钛欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：准备4H-SiC衬底；使用真空磁控溅射设备，将Ti电极薄膜通过磁控溅射设备沉积在所述4H-SiC衬底上，形成钛电极；将所述钛电极紧贴退火炉支撑Si托进行退火热...
该专利属于上海师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海师范大学授权不得商用。

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