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厦门立昂电子科技有限公司
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一种混合补偿式高稳定性LDO芯片电路制造技术
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文档序号:8682121
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本发明提供了一种混合补偿式高稳定性LDO芯片电路,包括差分输入放大器A1,推挽缓冲放大器A2,集成PMOS器件P0,电阻Rc、RF1、RF2,电容Cc、CFF,芯片输出电容Cout,Cout的等效串联电阻Resr,芯片输出负载Rload;其...
该专利属于厦门立昂电子科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过厦门立昂电子科技有限公司授权不得商用。
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