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本发明提供一种用作等离子注入的掩蔽层的光刻胶的去除方法，属于光刻技术领域。在该方法的所述等离子灰化步骤中，在所通入的用于形成氧等离子体的气体中混合氟化碳气体以抑制所述氧等离子体复合生成O2；并且设置等离子灰化处理过程的温度以避免所述光刻胶表...
该专利属于无锡华润华晶微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润华晶微电子有限公司授权不得商用。

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