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本发明公开了一种孔洞纳米压印模板的制备方法，包括：制备表面镀有铝膜的衬底；对衬底进行阳极氧化和扩孔，氧化时间为阳极氧化开始到衬底表面开始变色所需时长；对样片进行ICP刻蚀，再去除掩膜材料后即得纳米压印模板；ICP刻蚀分为三步完成：（1）无掩...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

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