专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
西安交通大学
>
一种用于气敏传感器制造的纳米线原位成形方法技术
>技术资料下载
下载一种用于气敏传感器制造的纳米线原位成形方法的技术资料
文档序号:8681250
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
一种用于气敏传感器制造的纳米线原位成形方法,先进行传感器图形化结构制造,在刚性基材表面均匀制备一层聚合物材料,在聚合物表面制备出具有应力豁口的金属薄膜电极,在此结构上制备出引线电极,然后进行一维纳米间隙结构制造,采用掩模板通过低能电子束对聚...
该专利属于西安交通大学所有,仅供学习研究参考,未经过西安交通大学授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。