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本发明提供一种硅晶铸锭及从其制成的硅晶圆。本发明所述的硅晶铸锭包含底部以及垂直方向。特别地，本发明所述的硅晶铸锭包含沿垂直方向成长的多个硅晶粒以及设置在底部的成核促进层，且紧邻所述成核促进层的硅晶粒的平均晶粒尺寸为小于10mm。...
该专利属于昆山中辰矽晶有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过昆山中辰矽晶有限公司授权不得商用。

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