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本发明提出了一种采用新型助熔剂熔盐法生长KTiOAsO4晶体的方法，解决了现有熔盐法生长的KTiOAsO4晶体存在生长纹及多畴缺陷，包裹物多、晶体均匀性差的问题，其特点是包括以下步骤：KH2AsO4重结晶后去头去尾；将重结晶后的KH2AsO...
该专利属于青岛海泰光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过青岛海泰光电技术有限公司授权不得商用。

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