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本发明公开了一种光控局部电沉积二氧化硅薄膜的制备方法。它是将半导体材料或者表面覆盖有半导体的基体浸入已经预水解一定时间的二氧化硅前躯体溶液中，通过调节光源照射到基体表面的光斑尺寸，从而在此光斑区域内光激发半导体，促进半导体的电子和空穴对分离...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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