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本发明提供一种多孔硅基CdS量子点复合材料的制备方法，经硅片的预处理、腐蚀液的配制、电化学腐蚀得到多孔硅、清洗多孔硅片、表面氧化处理、巯基嫁接、镉离子螯合、CdS量子点的形成，得到多孔硅基CdS量子点复合材料。所得多孔硅基CdS量子点复合材...
该专利属于昆明理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过昆明理工大学授权不得商用。

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