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本实用新型公开了一种高效高压LED芯片，包括衬底、依次形成在所述的衬底上的N型GaN限制层、外延发光层和P型GaN限制层，所述的N型GaN限制层、外延发光层和P型GaN限制层上蚀刻隔离出多个独立的呈阵列分布的图形单元，其位于中部的图形单元呈...
该专利属于海迪科（苏州）光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海迪科（苏州）光电科技有限公司授权不得商用。

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