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一种带有漂移区电场成型技术的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件，包括衬底，依次沉积在衬底上的第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层，以及于上述半导体层接触的源极、漏极和栅极，电容性耦合沟槽矩形阵列，电容性耦合沟槽中垂直设置有多晶硅连接器，所述第一半...
该专利属于浙江大学苏州工业技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学苏州工业技术研究院授权不得商用。

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