温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种高速光电子设备及相关方法。在一个方面，例如，高速光电子设备可以包括具有入射光表面的硅材料、在硅材料中形成半导体结的第一掺杂区和第二掺杂区以及耦合到该硅材料并定位成与电磁辐射相互作用的纹理区。对于具有从大约800nm到大约120...
该专利属于西奥尼克斯公司所有，仅供学习研究参考，未经过西奥尼克斯公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。