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本发明能利用激光退火将半导体膜均匀地结晶化。包括输出脉冲激光的脉冲激光振荡装置、和将从该脉冲激光振荡装置输出的所述脉冲激光进行传输并照射于半导体膜的光传输单元，将所述脉冲激光照射于半导体膜，使得在半导体膜照射面，由有效功率密度（J/(秒·c...
该专利属于株式会社日本制钢所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社日本制钢所授权不得商用。

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