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本发明公开了用于在金属基材上成长碳纳米管的方法。该方法包含于金属基材上沉积触媒前驱物，选择性地在所述金属基材上沉积非触媒材料，且在沉积触媒前驱物与选择性的非触媒材料之后，使该金属基材暴露于碳纳米管成长条件，以于金属基材上成长碳纳米管。所述碳...
该专利属于应用奈米结构公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用奈米结构公司授权不得商用。

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