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本发明涉及一种窄光谱高功率半导体激光器叠阵及其制备方法，依据半导体激光器叠阵的制冷方式对半导体激光器叠阵进行模拟实验，得出组成叠阵的各个放置巴条区域的温度分布情况，测量每一个巴条的光谱，得出每一个巴条的中心波长，将中心波长较大的巴条置于模拟...
该专利属于西安炬光科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安炬光科技有限公司授权不得商用。

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