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本发明涉及一种LED外延结构。所述LED外延结构包括自下至上依次排列的衬底、缓冲层、牺牲层、N型氮化镓层、量子阱层和P型氮化镓层，所述牺牲层与所述量子阱层之间还具有一光屏蔽层，所述光屏蔽层为一层或多层无图形膜，或所述光屏蔽层包括若干图形化的...
该专利属于光达光电设备科技（嘉兴）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过光达光电设备科技（嘉兴）有限公司授权不得商用。

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