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本发明涉及一种薄膜晶体管器件及其制作方法。本器件包括衬底11、源漏极19、有源层17、绝缘层15以及栅极13，其中有源层为含VIB族金属氧化物。各结构层采用真空蒸发方法和溅射方法制备。可实现工艺大为简化，性能更加优良。...
该专利属于青岛红星化工集团自力实业公司所有，仅供学习研究参考，未经过青岛红星化工集团自力实业公司授权不得商用。

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