温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种形成包含保护层的凸块结构的方法，揭示于本文的一个示范方法包括下列步骤：在一层绝缘材料中形成导电垫，形成钝化层于该导电垫上方，对该钝化层执行至少一个蚀刻工艺以在该钝化层中定义暴露该导电垫的至少一部分的开口，在该钝化层上、在该开口...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。