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本发明提供一种InGaN纳米线场发射阴极的制备方法，包括：先通过CVD的方法在沉积了一层Au的Si衬底上生长InGaN样品；把盛有Si衬底和高纯金属Ga和In的钨舟放入管式炉内的石英管中；随后，用机械泵对石英管抽气，把石英管的温度升到某一固...
该专利属于青岛红星化工厂所有，仅供学习研究参考，未经过青岛红星化工厂授权不得商用。

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