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本发明的一种核壳结构的热敏量子点材料及其制备方法属于半导体纳米材料制备的技术领域。量子点结构中核为Cu掺杂的InP量子点，在核的基础上包覆II-VI族半导体ZnS隔离层，用来隔绝内外两层材料，再包覆另一种发绿光的II-VI族半导体CdSe纳...
该专利属于吉林大学所有，仅供学习研究参考，未经过吉林大学授权不得商用。

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