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本发明的一种低毒性热敏量子点材料及其制备方法属于半导体纳米材料制备技术领域。本发明以Cu掺杂的InP量子点为核，先包覆半导体材料ZnS隔离层，隔绝内外两层材料，再包覆半导体材料InP纳米晶壳层，最外层包覆ZnS保护层，最终形成结构为Cu@I...
该专利属于吉林大学所有，仅供学习研究参考，未经过吉林大学授权不得商用。

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