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本发明公开了一种ZrB2-SiC(w)陶瓷原料的制备方法，以锆英石、B2O3、电极粉和SiO2微粉为主要原料，加入催化剂，以50～100MPa的压力压制成型并在保护气存在的条件下高温烧制而成。本发明用价格相对较低的原料来制备ZrB2-SiC...
该专利属于郑州大学;武汉科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过郑州大学;武汉科技大学授权不得商用。

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