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一种低晶化温度下制备高度(100)取向无铅压电薄膜的方法，本发明涉及一种制备无铅压电薄膜的方法。本发明是要解决现有的压电薄膜材料多数含铅量较大及其制备过程中薄膜晶化温度过高、织构度较差、成本高、工艺复杂且不利于大面积Si集成电路应用的问题。...
该专利属于哈尔滨理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨理工大学授权不得商用。

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