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本发明提供一种基于表面牺牲层工艺的MEMS器件自封装制备方法，其步骤包括：在基片上淀积并制作衬底保护层、下电极和下电极保护层，并化学机械抛光下电极保护层的表面；采用表面牺牲层工艺制作第一层牺牲层和MEMS器件的结构层；在结构层上淀积金属层；...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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