下载半导体衬底的密度可变等离子体处理的技术资料

文档序号:8629723

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本发明描述了用于生成密度可变等离子体的方法和硬件。例如,在一实施方式中,处理站包括喷头和衬底架,所述喷头包括喷头电极,所述衬底架包括被构造来支撑衬底的台面,其中所述衬底架被设置在所述喷头的下方。所述衬底架包括设置在所述衬底架的内侧区域中的内...
该专利属于诺发系统公司所有,仅供学习研究参考,未经过诺发系统公司授权不得商用。

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