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一种半导体器件失配特性的检测结构及检测方法,其中,所述半导体器件失配特性的检测结构包括:半导体衬底,位于半导体衬底表面的若干相同的半导体器件,所述半导体器件等角度地围成至少一个圆环。由于所述半导体器件失配特性的检测结构中的半导体器件具有不同...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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一种半导体器件失配特性的检测结构及检测方法,其中,所述半导体器件失配特性的检测结构包括:半导体衬底,位于半导体衬底表面的若干相同的半导体器件,所述半导体器件等角度地围成至少一个圆环。由于所述半导体器件失配特性的检测结构中的半导体器件具有不同...