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本发明提供一种HfNxOy纳米线场发射阴极的制备方法，包括：Si衬底在丙酮和酒精中分别经超声清洗15min，然后用去离子水冲洗；采用高纯Ar作为溅射气体，高纯N2作为反应气体；真空室本底压强1.5×10-1Pa，溅射沉积过程的压强为1.5P...
该专利属于青岛红星化工厂所有，仅供学习研究参考，未经过青岛红星化工厂授权不得商用。

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