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使用高介电常数槽结构的低比导通电阻的横向功率器件，涉及半导体功率器件。本发明包括硅衬底、漂移区、第一绝缘介质、栅极、沟道区、欧姆接触重掺杂区、源极、漏极、第二绝缘介质、源极引出线、漏极引出线，在漂移区内至少嵌入设置两个隔离区；隔离区内填充有...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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