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本发明公开了具有沟槽型终端结构的超级结MOSFET器件的两种结构，其终端区呈环形，环形的拐角处为弧形，其他地方为直边；在第一种结构中，终端区沟槽内填充半导体材料和介质层；在第二种结构中，终端区沟槽进一步区分为直边处的沟槽和拐角处的沟槽，并仅...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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