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本发明涉及一种由高压器件和低压器件构成的半导体芯片。所制备的芯片具有多种不同的配置。例如，该半导体芯片可以包含NPN双极晶体管、PNP双极晶体管、二极管、N通道DMOS晶体管以及类似器件。第一掺杂阱配置成DMOS晶体管、P通道DMOS晶体管...
该专利属于万国半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过万国半导体股份有限公司授权不得商用。

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