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本发明涉及紫外光电探测器技术领域，尤其涉及一种微纳米线阵列结构紫外雪崩光电探测器，由下自上依次为衬底、缓冲层、具有较大禁带宽度的非故意掺杂层、具有较大禁带宽度的第一n型掺杂层、正常禁带宽度的第二n型掺杂层、低掺杂或非故意掺杂有源层和p型掺杂...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

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