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本发明涉及低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法及利用该方法制备的低温多晶硅薄膜晶体管，在基板上生成缓冲层，图案化多晶硅层，对多晶硅层进行一定量的离子注入或者不注入以形成薄膜晶体管的沟道区；沉积栅极绝缘层，第一离子注入阻挡层，隔着栅极绝缘层对多晶硅...
该专利属于昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司授权不得商用。

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