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一种半导体厚金属结构的制作方法，包括厚金属沉积步骤、金属图形化步骤以及钝化步骤，其中在厚金属沉积步骤中，采用Ti-TiN叠层结构作为抗反射层，实现4um金属腐蚀无残留。在金属图形化步骤中，采用N2进行侧壁保护，实现4um金属凹凸结构倾斜角度...
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