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本发明公开了一种超厚光刻胶的刻蚀方法，包括以下步骤：步骤一、使用湿法刻蚀；步骤二、硅片刻蚀并进行清洗；反复循环步骤二直至完全刻蚀。本发明通过离开刻蚀氛围进行单独清洗，然后再进行刻蚀时表面为新鲜的干净表面，刻蚀速率可以恢复至最高，避免在饱和刻...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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