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一种原子层级的等离子体刻蚀方法，包括：提供单一元素的半导体衬底；通入刻蚀反应气体，等离子化后刻蚀反应气体与半导体衬底的表层原子发生反应生成化合物，刻蚀气体引入的原子与半导体衬底的表层原子的结合将使得半导体衬底的表层原子与其相邻层的原子的结合...
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