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本发明公开了一种低应力IGBT沟槽型栅极的成长方法，该方法在成长完栅极氧化层后，进行以下工艺步骤：1）在栅极氧化层上沉积一层多晶硅，并确保沉积后，沟槽内留有缝隙；2）多晶体回刻，形成上方开口的沟槽填充形貌；3）高温退火；4）多晶硅补沉积，形...该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种低应力IGBT沟槽型栅极的成长方法，该方法在成长完栅极氧化层后，进行以下工艺步骤：1）在栅极氧化层上沉积一层多晶硅，并确保沉积后，沟槽内留有缝隙；2）多晶体回刻，形成上方开口的沟槽填充形貌；3）高温退火；4）多晶硅补沉积，形...