温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公布了一种IGBT沟槽型栅极的制造方法，其将栅极导电多晶硅分两次成长：第一次生长较厚的一层多晶硅，但保持沟槽开口，之后在第一层多晶硅的缝隙间引入一层缓冲层，然后生长最后的多晶硅将沟槽填满，缓冲层将被多晶硅环绕，减少多晶硅膜的收缩效应，...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。