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本发明公开了一种离子注入装置和离子注入方法。在向晶片中注入离子的过程中，测量离子束电流，获得根据在真空束线室或真空处理室内操作的结构的位置变化而发生变化的真空流导的变化，另外，利用安装在所述真空束线室或所述真空处理室内的真空计检测一个或多个...
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