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晶体硅中锗或/和锡杂质浓度的测量方法，是将硼或磷掺入锗或/和锡母合金中，通过测量硅片电阻率，确定锗或/和锡的浓度。本发明采用将磷或硼掺入锗锡母合金中，建立母合金电阻率与锗锡杂质浓度的关系，通过测量母合金的电阻率即可确定锗锡杂质的浓度，方法简...该专利属于西安隆基硅材料股份有限公司;无锡隆基硅材料有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;银川隆基硅材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安隆基硅材料股份有限公司;无锡隆基硅材料有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;银川隆基硅材料有限公司授权不得商用。