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本发明提供了一种制备单晶Bi2Se3纳米结构的方法，所述Bi2Se3纳米结构包括纳米带和纳米片，Bi2Se3纳米带的宽度为50nm～4μm，长度为1～200μm，Bi2Se3纳米片的直径为50nm～20μm。本发明采用高温热蒸发和气相传输的...
该专利属于国家纳米科学中心所有，仅供学习研究参考，未经过国家纳米科学中心授权不得商用。

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