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本实用新型涉及一种低阻欧姆接触的N型硅晶体管管芯，属于晶体管管芯技术领域。主要特点是在硅片背面的中掺杂层与电极间设置磷离子构成的高掺杂层，本实用新型在硅片背面通过注入1×1015cm-2的磷离子，经退火后分布在0.2μm的深度内，就获得了5...
该专利属于扬州中芯晶来半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过扬州中芯晶来半导体制造有限公司授权不得商用。

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