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本发明公开了一种生长在Si衬底上的LED外延片，其特征在于：包括Si衬底层、生长在Si衬底层上的Al2O3保护层，在Al2O3保护层上依次生长出u-GaN缓冲层、n-GaN层、InGaN/GaN量子阱层及p-GaN层。本发明还公开了上述LE...
该专利属于广州市众拓光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州市众拓光电科技有限公司授权不得商用。

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