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转折二极管制造技术
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文档序号:8564098
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本发明涉及一种半导体器件,尤其是一种转折二极管。转折二极管,包括二极管本体,所述的二极管本体由P-N-P-N四层半导体材料、三个PN结串联构成,左端的P区称为阳极区,右端的N区称为阴极区,中间的N区和P区称为基区,阳极区和阴极区对外各焊接有...
该专利属于孔明所有,仅供学习研究参考,未经过孔明授权不得商用。
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