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本发明提供一种可靠性高的半导体装置。通过成品率良好地制造半导体装置来达成高生产率。在半导体装置中，依次层叠有栅电极层、栅极绝缘膜、含有铟的氧化物半导体膜、以及设置在氧化物半导体膜上并与氧化物半导体膜接触的绝缘层，该绝缘膜与栅电极层重叠，并且...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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