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本发明涉及半导体器件，尤其是涉及双栅极VDMOS器件。该半导体器件包括双栅极结构。在一个或多个实施方式中，半导体器件包括具有第一表面和第二表面的衬底。所述衬底包括贴近第一表面形成的第一体区域和第二体区域。而且，每个体区域包括形成在其中的源极...
该专利属于马克西姆综合产品公司所有，仅供学习研究参考，未经过马克西姆综合产品公司授权不得商用。

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